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      砷化鎵晶片 GaAs Wafer

      我們研發并生產的2-6英半導體級以及半絕緣級高純度砷化鎵晶體和晶片被廣泛應用于半導體集成電路以及LED通用照明等領域。

      Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.


      半導體砷化鎵規格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

      生長方法
        Growth Method 

         VGF 

        摻雜類型
        Dopant 

        P型:鋅 
        p-type: Zn 

        N型:硅
        n-type: Si

        晶片形狀
        Wafer Shape 

        圓形(尺寸2、3、4、6英寸)
        Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

        晶向 
        Surface Orientation * 

        (100)±0.5° 

        * Other Orientations maybe available upon request 
          其他晶向要求可根據客戶需求加工 

      Dopant
      摻雜

      硅 (N 型)
      Si (n-type)

      鋅 (P 型)
      Zn (p-type)

      載流子濃度
      Carrier Concentration (cm-3)

      ( 0.8-4) × 1018

      ( 0.5-5) × 1019

      遷移率 
        Mobility (cm2/V.S.)

      ( 1-2.5) × 103

      50-120

        位錯 
        Etch Pitch Density (cm2) 

       100-5000

      3,000-5,000

      直徑
      Wafer Diameter (mm)

      50.8±0.3

      76.2±0.3

      100±0.3

        厚度 
        Thickness (μm) 

      350±25

      625±25

      625±25

        TTV [P/P] (μm) 

      ≤ 4

      ≤ 4

      ≤ 4

        TTV [P/E] (μm) 

      ≤ 10

      ≤ 10

      ≤ 10

        WARP (μm) 

      ≤ 10

      ≤ 10

      ≤ 10

      OF (mm)

      17±1

      22±1

      32.5±1

      OF / IF (mm)

      7±1

      12±1

      18±1

      Polish*

      E/E,
      P/E,
      P/P

      E/E,
      P/E,
      P/P

      E/E,
      P/E,
      P/P

      *E=Etched, P=Polished(*E=腐蝕, P=拋光)

        **If needed by customer 
            根據客戶需要 


      半絕緣砷化鎵 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

      生長方法

        Growth Method 

         VGF 

        摻雜類型

        Dopant 

        SI 型:

      SI Type:  Carbon 

        晶片形狀

        Wafer Shape 

        圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

        Round (DIA: 2", 3", 4"6") 

        晶向 

        Surface Orientation * 

        (100)±0.5° 

        * Other Orientations maybe available upon request 

          其他晶向要求可根據客戶需求加工 

        電阻率 

        Resistivity  (Ω.cm) 

      ≥ 1 × 107

      ≥ 1 × 108

      遷移率

      Mobility (cm2/V.S)

      ≥ 5,000

      ≥ 4,000

        位錯 

        Etch Pitch Density (cm2

        1,500-5,000

      1,500-5,000

      晶片直徑

      Wafer Diameter (mm)

      50.8±0.3

      76.2±0.3

      100±0.3

      150±0.3

        厚度 

        Thickness (μm) 

      350±25 

      625±25

      625±25

      675±25 

        TTV [P/P] (μm) 

      ≤ 4

      ≤ 4

      ≤ 4

      ≤ 4

        TTV [P/E] (μm) 

      ≤ 10

      ≤ 10

      ≤ 10

      ≤ 10

        WARP (μm) 

      ≤ 10

      ≤ 10

      ≤ 10

      ≤ 15

      OF (mm)

      17±1

      22±1

      32.5±1

      NOTCH

      OF / IF (mm)

      7±1

      12±1

      18±1

      N/A

      Polish*

      E/E,

      P/E,

      P/P

      E/E,

      P/E,

      P/P

      E/E,

      P/E,

      P/P

      E/E,

      P/E,

      P/P

      *E=Etched, P=Polished (*E=腐蝕, P=拋光)

        **If needed by customer 

            根據客戶需要 


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